شبيه سازي ترابرد الكترونها در ترانزيستور اثر ميدان SiGe براي كاربرد در توان و بهره بالا

Modeling of a SiGe MESFET for High-Power and High-Gain Application

شبيه سازي مونتو كارلو براي ترابرد الكترونها در حالات پايدار و نا پايدار ترانزيستور اثر ميدان ساخته شده از ماده SiGe انجام پذيرفته است . مشخصه هاي ترابرد براي ترانزيستور شبيه سازي شده توافق خوبي را با نمونه هاي آزمايشگاهي نشان مي دهد . همچنين پاسخ فركانسي ترانزيستور بررسي و I-V الكترونها و نمودار مقدار بهره جرياني از مرتبه 10±90 GHz براي آن بدست آمده است

A Monte Carlo simulation has been used to model steady state and transient electron transport in SiGe field effect transistor. The simulated device geometries and doping are matched to the nominal parameters described for the experimental structures as closely as possible, and the predicted I-V and transfer charateristics for the intrinsic devices show fair agreement with the available experimental data. Simulations of the effect of modulating the gate bias have also been carried out to test the device response and derived the frequency bandwidth. Value of 90±10 GHz has been derived for the intrinsic current gain cut-off frequency of the SiGe MESFETs.