مطالعه نقص هاي تشكيل شده در طي فرايند رشد در نيم رساناي AlGaNP

Study of Grown-in Defects in AlGaNP Semiconductors

در اين مقاله نقص هاي تشكيل ش ده در حين فراين د رش د در نيمرساناي جديد AlGaNP كه توسط روش روآراستي پرتوـ ملكولي رشد داده شده ا ست به كمك نتـايج حاصل از اندازه گيريهاي تجربي فوتولومينسانس (PL) و نيز تشديد مغناطيسي آشكار شده به روش اپتيكي(ODMR) مورد مطالعه قرار گرفته اند . وابـستگي طيفهـا بـه مقادير آلومينيوم (Al) م وجود در نمونه ها و نيز درجه حرارت نشان مي دهد كه دو مركز پارامغناطيسي مج زا كه نقص هاي موجود در شبكه را تشكيل مي دهند در نمونـه ها وجود دارند . بررسي طيفهاي تقريبĤ همگن ثبت شده در ازمايشات ODMR و توافق منحني هاي تئوري و عملي بدست آمده نشان مي دهد كه ايـن نقـصها دو گـروه اتمهاي گاليم (Ga) ميانيني هستند كه در فرايند رشد بوجود آمده ا ند يعني Gai−A (i) : كه توسط اتمهاي گروه Gai−B (ii)و IIIكه توسـط اتمهـاي گـروهV و يا اتمهاي گروه V و III احاطه شده اند.

Grown-in defects in the new material AlGaNP grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE) technique was studied using photoluminescence (PL) and optically detected magnetic resonance (ODMR ) techniques. The dependence of the spectra on the aluminium contents and temperature showed that two distinct paramagnetic centers which form defects, truly exist in the materials. A nearly isotropic of the ODMR spectra and agreement between experimental data and the theoretical fitting confirmed that the defects are two Ga interstitials formed in growth proccess: Gai-A surrounded by group-V atoms and Gai-B surrounded by group-III (or both III and V) atoms..