p241. اثر سونش بر پخش نقاط كوانتومي گرافن بر روي سيليكون

Effect of substrate temperature on physical properties of Graphene quantum dots

در اين پژوهش اثر سونش بر روي پخش لايه هاي نقاط كوانتومي بررسي شده است. نقاط كوانتومي گرافن كه بصورت محلول در آب بودند بر روي بستر سيليكون لايه نشاني شدند. لايه نشاني به روش دراپ كستينگ انجام شد. لايه نشاني در دماي اتاق و از محلولهايي كه تحت سونش هاي تك مرحله ي 5/0، دو مرحله اي 5/2 و سه مرحله اي 3 ساعت تهيه شده بودند، انجام گرفت و نمونه هاي متناظر با سونش يك تا سه مرحله اي S1، S2 و S3 نامگذاري شدند. لايه‌ها توسط ميكروسكوپ نوري و ميكروسكوپ نيروي اتمي (AFM) مشخصه يابي شدند. نتايج مشخصه يابي لايه ها نشان مي دهند كه در حالت سه مرحله اي نقاط كوانتومي داراي پخش بهتري نسبت به حالت هاي ديگر هستند. ضخامت لايه ها در حالت سوم به اندازه % 95/4 كمتر از حالت دوم و باندازه % 80/16 كمتر از حالت سوم است كه به ترتيب داراي مقادري 369/0 و 323/0 و 307/0 نانومتر براي نمونه‌هاي S1، S2 و S3 مي باشند.

In this paper, effect of sonication on dispersion of Graphene Quantum Dots (GQDs) deposited on Silicon substrates have been studied. GQDs are solution in water. Deposition has been performed using drop casting method in three different sonication times; 0.5 (single step), 2.5 (double steps) and 3 hours (triple steps). Layers have been characterized with AFM microscopy. Characterization results show that 3-step sonication (S3) causes GQDs disperse better in comparison with the other states (S1 S2). Thickness of layers in the third state is 4.95% lower than that of the second state and 16.80% lower than the third one. All values are as follows: 0.369, 0.323 and 0.307 nm, respectively.