p416. جايگذاري و مشخصه يابي نانوساختارهاي دي سولفيد تنگستن به روش اسپاترينگRF

Deposition and Characterization of WS2 Nanostructures Using RF Sputtering Technique

خواص بي نظير گرافن به علت ويژگي هاي منحصر به فرد الكتريكي و نوري باعث شده است كه فلزات واسطه دي كالكوجنايد (TMDs) مانند WS2, WSe2, MoS2, MoSe2, NbS2, NbSe2, توجه ويژه اي را به خود جلب كنند.TMDC ها داراي گاف نواري پهن هستند و وقتي به صورت تك لايه سنتز مي شوند گاف نواري آنها از مستقيم به غير مستقيم تغيير مي كند. بنابراين ساخت و مشخصه يابي اين لايه ها براي قطعات نسل جديد مهم است. در اين مقاله، بس بلور لايه نازك WS2 به روش فيزيكي توسط دستگاه اسپاترينگ رشد داده شد و لايه نازكي به ضخامت nm 200 بروي زيرلايه شيشه تشكيل شد. به منظور بررسي ويژگي‌هاي لايه تشكيل شده از آناليز ساختاري، ريخت شناسي سطح و طيف سنجي رامان و UV-Vis استفاده شد.

Remarkable properties of graphene have renewed interest in inorganic, Transition Metal Dichalcogenide (TMDs) due to unique electronic and optical properties. TMDCs such as MoS2, MoSe2, NbS2, NbSe2, WS2 and WSe2 have wide bandgap that change from indirect to direct in single layers. Therefore, synthesise and characterization of these films are important for new generation devices. In this work, polycrystalline WS2 films were grown by RF sputter coater device and a thin layer of thickness of 200 nm was formed on the glass substrate. In order to investigate the characteristics of the formed layer, XRD, FESEM, Raman spectroscopy and UV-Vis have been utilized.