p705. بررسي رفتار تغييرات دمايي در ادوات اپتوالكترونيك ميداني

Investigating the behavior of temperature changes in optoelectronic devices

امروزه ساختارهاي نامتجانس نيتريدي گروه به دليل افزايش كاربرد آنها از جمله درر ديودها و ليزرها، الكترواپتيك با دما و قدرت بالاوساختارهاي نشر ميدان به صورت عمده مورد توجه قرار دارد.دراين مقاله، رفتار دمايي ادوات اپتوالكترونيك اثرميداني مورد بررسي قرار گرفته است.براي اين منظور يك ساختار ساده از يك FET درنظر گرفته شده و با حل عددي معادله لاپلاس سه بعدي، مقاومت گرمايي ادوات و ماكزيمم دماي كانال محاسبه شده است. نتايج به دست آمده حاكي از آن است كه دور از سورس، دما به صورت لگاريتمي افت مي‌كند و نيز با افزايش مكان طولي در كانال، دماي گاز الكتروني دوبعدي كاهش مي‌يابد.

Today ,nitride heterogeneous structures are largely considered due to their applications in diodes Lasers, high temperature high power electro-optic and field-emitter structures, the thermal behavior of optoelectronic devices of a FET is considered and the thermal resistance of them and maximum channel temperature are numerically calculated by solving 3D Laplace equation. The results indicate that the temperature falls off logarithmically away from source and also with increase in longitudinai positionin the channel,the maximum temperature of 2DEG is reduced.