شماره ركورد كنفرانس :
4815
عنوان مقاله :
p606. مطالعه ابتدا به ساكن خواص الكتروني و سوسوزني Y2SiO5
عنوان به زبان ديگر :
First-principles study of electronic and scintillation properties of Y2SiO5
پديدآورندگان :
عسكري نجمه ph.askari@gmail.com دانشگاه دامغان؛ , ولي رشيد vali@du.ac.ir دانشگاه دامغان؛
كليدواژه :
سوسوزني , نظريه تابعي چگالي , Y2SiO5.، 71, 78
عنوان كنفرانس :
سي و پنجمين كنفرانس ملي فيزيك ايران و بيست و سومين همايش دانشجويي فيزيك
چكيده فارسي :
در اين مقاله به مطالعه خواص الكتروني و سوسوزني اكسي سيليكات ايتريوم با استفاده از نظريه تابعي چگالي پرداخته ايم. ساختار نواري به دست آمده نشان مي دهد كه تركيب Y2SiO5 يك عايق با گاف نواري بزرگ غيرمستقيم مي باشد و نوارهاي انرژي حول نقاط اكسترمم نوارهاي رسانش و ظرفيت، پاشندگي قابل ملاحظه اي را نشان مي دهند. بر اساس مقادير نظري مربوط به ثابت هاي دي الكتريك و بالاترين فركانس فونوني مد اپتيكي طولي و با استفاده از مدل پديده شناختي لمپكي و وجتوويكز، مقدار نور خروجي Y2SiO5 را به دست آورديم كه توافق خوبي با مقدار تجربي دارد.
