شماره ركورد كنفرانس :
4815
عنوان مقاله :
p537. بررسي اثر يونش ضربه‌اي و فرآيندهاي اتلاف حاملين بار در عملكرد سلول خورشيدي نقاط كوانتومي بر پايه InxGa1-xN/GaN
عنوان به زبان ديگر :
Effect of Charge Carrier Recombination and Impact Ionization on the Performance of InxGa1-xN/GaN Quantum Dot Solar Cells
پديدآورندگان :
نيكجو تبريزي پريا paria_nikjootabrizi@yahoo.com گروه فوتونيك، پژوهشكده فيزيك كاربردي و ستاره شناسي، دانشگاه تبريز؛ , مولا حسين h.movla@gmail.com گروه فوتونيك، پژوهشكده فيزيك كاربردي و ستاره شناسي، دانشگاه تبريز؛ , ابراهيم پور زينب z91ebrahimpour@gmail.com گروه فوتونيك، پژوهشكده فيزيك كاربردي و ستاره شناسي، دانشگاه تبريز؛ , عسگري اصغر Asgari@tabrizu.ac.ir گروه فوتونيك، پژوهشكده فيزيك كاربردي و ستاره شناسي، دانشگاه تبريز؛
كليدواژه :
سلول خورشيدي نقاط كوانتومي , بازده , يونش ضربه اي , بازتركيب حاملين، 68
عنوان كنفرانس :
سي و پنجمين كنفرانس ملي فيزيك ايران و بيست و سومين همايش دانشجويي فيزيك
چكيده فارسي :
يونش ضربه‌اي يكي از پديده‌هاي موثر در سلول‌هاي خورشيدي نقاط كوانتومي مي‌باشد كه با توليد حاملين بار اضافي، باعث افزايش بازده در اين نوع سلول خورشيدي مي‌گردد. در اين مقاله عملكرد سلول خورشيدي نقاط كوانتومي بر پايه InxGa1-xN/GaN با در نظر گرفتن اثر بازتركيب و پديده يونش ضربه‌اي مورد بررسي قرار گرفته است. همچنين روابط مربوط به پديده جذب و توليد حاملين با در نظر گرفتن فرآيندهاي اتلاف و همچنين يونش ضربه‌اي مورد بررسي قرار گرفته است. نتايج شبيه سازي نشان مي‌دهد كه بازده سلول خورشيدي نقاط كوانتومي بستگي مستقيمي به فرآيندهاي اتلاف داشته، به طوريكه حضور فرآيندهاي اتلاف سبب كاهش حاملين بار شده و در نتيجه بازده سلول كاهش مي‌يابد.
