شماره ركورد كنفرانس :
4815
عنوان مقاله :
p221. ساخت و مشخصه يابي لايه نازك ZnS به روش سيلار به عنوان آشكارساز باريكه هاي يوني كم انرژي
عنوان به زبان ديگر :
Fabrication and Characterization of ZnS Thin Films Using Silar Technique to Detect Low Energy Ion Beams
پديدآورندگان :
فتحي نژاد ميثم fathinejadmeisam@gmail.com دانشجوي كارشناسي ارشد دانشگاه تهران؛ , مهجور شفيعي مسعود mmshafiei@ut.ac.ir استاد دانشگاه تهران؛ , حكمتي كيا علي اكبر a.a.chaheh@ut.ac.ir دانشجوي دكتري دانشگاه تهران؛
كليدواژه :
سوسوزن , باريكه يوني , 29
عنوان كنفرانس :
سي و پنجمين كنفرانس ملي فيزيك ايران و بيست و سومين همايش دانشجويي فيزيك
چكيده فارسي :
لايه‌هاي نازك ميكرومتري سولفيدروي به روش سيلار كه روشي بسيار ساده و مقرون به صرفه مي‌باشد بر روي زيرلايه‌هاي آلومينيم تهيه و مشخصه‌يابي شدند. با استفاده از طيف XRD مشخص شد كه ذرات ساخته شده به اين روش از نانوكريستال‌هاي مكعبي چند نانومتري تشكيل شده‌اند. همچنين تحليل داده‌هاي جذب و عبور UV-Vis نشان داد كه گاف انرژي اين نانوذرات حدود3.85 eV مي‌باشد. نهايتا اين لايه هاي نازك در معرض باريكه هيدروژن keV۲۰ قرار داده شدند و نور گسيل شده از آن ثبت و با استفاده از نرم‌افزار Matlab مورد تحليل قرار گرفت. كيفيت سوسوزني فيلم‌هاي ساخته شده براي اندازه‌گيري پهنا و شدت نسبي باريكه‌ها با تحليل داده‌هاي بدست آمد مورد راست‌آزمايي قرار گرفت.
چكيده لاتين :
ZnS thin films were grown on aluminum substrate using Silar technique which is very simple and cheap method. XRD spectra revealed the nanometer cubic crystal structure of the thin films. In addition, the analysis of UV-Vis data showed that the band gap of the ZnS nanoparticles is 3.85 eV. Finally, the produced films were exposed to20keV hydrogen beam. The emitted light due to the scintillation of the films were analysis using Matlab.The quality of the scintillation of the films to measure the width and relative intensity of the beams was verified
