p223. بررسي خواص ساختاري و الكتروني انبوهه اكسيد روي آلاييده شده با مس

Investigation of structural and electronic properties of Cu-doped ZnO

در اين مقاله، محاسبات تئوري بر پايهي نظريهي تابعي چگالي و تقريب شيب گراديان تعميميافته به همراه پارامتر هابارد به منظور مطالعهي خواص دو نمونهي اكسيد روي خالص و آلايشيافته با مس (Cu) انجام شده است. نتايج نشان دادند كه آلايش با Cu باعث افزايش ثابت شبكه و گاف نواري اكسيد روي شد. علاوه بر آن، آلايش Cu نيز باعث ايجاد خاصيت مغناطيسي در بلور ميشود كه در پي آن حالت اسپين پايين آن همانند رسانا و اسپين بالا همانند نيمرسانا رفتار ميكند.

In the present work, the theoretical calculations based on density functional theory (DFT) and generalized gradient approximation (GGA) within Hubbard parameter have been carried out to study the structural and electronic properties of pure and Cu-doped ZnO bulk. Based on the obtained results, doping Cu into the structure leads to the decrease of lattice parameter and band gap, in agreement with the experimental results. Furthermore, Cu doping induces ferromagnetism such that the spin down states behaves as metal and the spin up states as a semiconductor.