p183. بررسي ساختارنواري نانولوله ‌هاي دوجداره گاليوم آرسنايد دسته صندلي

Investigation of band Structure of double-walled armchair gallium arsenide nanotubes

در اين پژوهش با استفاده از اصول اوليه مبتني بر نظريه تابعي چگالي با در نظر گرفتن نيروهاي واندروالس به مطالعه و بررسي ساختار نواري نانو لوله‌هاي دو جداره گاليوم آرسنايد دسته صندلي گروه (n،n)@(4،4) شامل 5 ساختار با (13-9n=) پرداخته ايم. با توجه به نتايج و محاسبات، تغييرات گاف نواري براي نانولوله‌ هاي دوجداره خالص دسته صندلي(n،n)@(4،4) در حدود eV8/0 مي‌باشد و تمامي نانولوله ها نيمه‌رسانا با گاف نواري مستقيم هستند. همچنين در نانولوله ها با قطرهاي بزرگ تغييرات گاف نواري تقريبا مستقل از افزايش قطر و حدود eV39/1 مي‌باشد.

In this research, using the first principles based on the van der Waals density functional theory (vdW-DFT), the electronic band structure of armchair double-walled gallium arsenide nanotubes (4,4)@(n,n) contained 5 structures with (n = 9-13) have carried out. According to the results and calculations, the band gap variations for pure double-walled GaAs nanotubes (4,4)@(n,n) are about 0.8 eV and all nanotubes are semiconductor with direct band gap. Also, in nanotubes with large diameters, band gap changes are almost independent of the increase in diameter and are about 1.39 eV.