شماره ركورد كنفرانس :
4852
عنوان مقاله :
p79. بررسي خواص مغناطيسي و ناهمسانگردي انرژي مغناطيسي در برخي از تك اتم هاي فلزات واسطه 3d افزوده شده در سطح نيتريد بور شش گوشي
عنوان به زبان ديگر :
Magnetic properties and magnetic anisotropy energy of some single 3d transition metals added on 2D hexagonal Boron Nitride
پديدآورندگان :
دوستي حسين doosti.h@lu.ac.ir دانشگاه لرستان؛ , افشار مهدي afshar.arjmand@gmail.com دانشگاه علو و صنعت، تهران؛
تعداد صفحه :
4
كليدواژه :
نيتريد بور , انرژژي ناهمسانگردي مغناطيسي , خواص مغناطيسي 2D structure , magnetic anisotropy energy , agnetic properties , 7525
سال انتشار :
1397
عنوان كنفرانس :
چهاردهمين كنفرانس ملي ماده چگال انجمن فيزيك ايران
زبان مدرك :
فارسي
چكيده فارسي :
در چارچوب نظريه تابعي چگالي نسبيتي و با استفاده از نسخه ي نسبيتي كد محاسباتي FPLO-14 تك اتم هاي فلزات واسطه (3d-TM= Sc, Ti, V, Cr) در سه جايگاه مختلف كه شامل وسط شش ضلعي و بالاي سطح نيتريد بور، بالاي اتم هاي بور و بالاي اتم هاي نيتروژن واقع در زير لايه ي دوبعدي نيتريد بور(2D-hBN) اضافه شده اند. كميت هاي انرژي ساختاري، مغناطش اسپيني، مغناطش مداري و همچنين انرژي ناهمسانگردي مغناطيسي براي برخي جهت هاي پرتقارن محاسبه شده اند. همچنين از مقايسه انرژي هاي ساختاري هر تركيب، موقعيت هاي مكاني بهينه اتم هاي 3d-TM مشخص شده اند. با محاسبه ي مقدار بارهاي انتقالي از اتم 3d-TM به زير سطح 2D-hBN ماهيت ييوند بين آنها نيز مشخص شده است.
چكيده لاتين :
Within the frame work of relativistic density functional theory using relativistic version of a self-consistent full-potential local-orbital band structure method FPLO-14 package. Single 3d transition atoms (3d-TM = Sc, Ti, V and Cr) added on the surface of 2D hexagonal Boron Nitride (2D-hBN) in three different positions so called Hollow site or Top site. Structure energies, spin magnetic moments, orbital magnetic moments and magnetic anisotropy energies are calculated for some high symmetry directions. The optimized positions of single 3d add atoms are characterized by comparing structure energies in each positions. The nature of chemical bonds between 3d-TM add atoms and 2D h-BN are predicted by calculation of charge transfer from TM to BN substrate
كشور :
ايران
لينک به اين مدرک :
بازگشت