شماره ركورد كنفرانس :
4852
عنوان مقاله :
p26. محاسبة ابتدا‌به‌ساكن ويژگي‌هاي ساختاري و الكتروني كلكوژنيدهاي استرانسيوم
عنوان به زبان ديگر :
Ab initio calculation of structuraland electronic properties of strontium chalcogenides
پديدآورندگان :
صالحي حمداله salehi_h@scu.ac.ir دانشگاه شهيد چمران اهواز؛ , بهروزي نژاد مژده behroozi4668@gmail.com دانشگاه شهيد چمران اهواز؛
عنوان كنفرانس :
چهاردهمين كنفرانس ملي ماده چگال انجمن فيزيك ايران
چكيده فارسي :
در اين مقاله، ويژگي‌هاي ساختاري و الكتروني كلكوژنيدهاي استرانسيوم (SrX (X = S, Se and Te در ساختار (B1 (NaClمورد مطالعه قرار گرفته است. محاسبات با روش شبه پتانسيل در قالب نظرية تابعي چگالي، با تقريب هايLDAو GGAو كد كوانتوم اسپرسو انجام شده است. نتايج حاصل از ساختار نواري نشان مي‌دهد اين تركيبات نيم‌رساناهايي با گاف نواري غير مستقيم و بزرگ هستند. نتايج به دست آمده با ديگر داده‌هاي موجود مطابقت دارد.
چكيده لاتين :
In this paper,the structuraland electronic properties of SrX (X = S, Se and Te) in the B1 (NaCl)structure have been studied. The calculations were performed using the pseudopotential and plane wave method in the frame work of density–functional theory (DFT) within the generalized gradient approximation (GGA) and local density approximation (LDA) as implemented in the Quantum-ESPRESSO code. The results of the band structure show that all compounds are wide-indirect-band-gap semiconductors. The computed values are in good agreement with the other available data.
