بررسي و شبيه سازي كليدزني بهره در ليزرهاي نيمه هادي مبتني بر نقاط كوانتومي

Analysis and simulation of gain-switching in quantum-dot semiconductor lesers

در اين مقاله با استفاده از الگوي معادلات نرخ سه سطحي، كليدزني بهره نوري در ليزرهاي نقطه كوانتومي در سامانه InAs/GaAs مورد بررسي قرار گرفته است. نتايج پوياي كليدزني بهره نوري به ازاي يك پالس تزريقي جريان با دامنه mA10 در حالت گذرا نشان مي دهند، سرعت پاسخ دهي ليزر به شدت متأثر از زمان واهلش الكترون ها از تراز مخزن (Reservoir-state) به تراز برانگيخته (Excited-state) در نقاط كوانتومي مي باشد. علاوه بر اين نتايج نشان مي دهند طول عمر فوتون هاي داخل كاواك نيز سرعت كليدزني بهره نوري را تحت تاثير قرار مي دهند.

In this paper, using the three-level equation model, the optical gain switching in quantum dot lasers in the InAs / GaAs system has been investigated. The dynamic results of optical gain switching for a transient pulsed injection mA10 are shown in the transient state. Laser response speed is strongly influenced by the time the electrons wane from the reservoirs-state to the excited state in Quantum dots. In addition, the results show that the life span of photons in the cavity also affects the switching speed of optical gain.