تحليل و شبيه‌سازي يك مدولاتور ماخ – زندر سيليكوني در طول‌موج مخابراتي

Analysis and Simulation of a silicon Mach-Zehnder modulator at telecommunication wavelength

در اين مقاله، مدولاتور ماخ #38;ndash; زندر سيليكوني مبتني بر تخليه حامل در يك پيوند PN جانبي، جهت بهينه #38;shy;سازي عملكرد آن در طول #38;shy;موج مخابراتي nm1310 شبيه سازي شده است. بازده مدولاسيون V.cm55/1 #38;nbsp; و اتلاف شيفت #38;shy;دهنده فاز dB/cm89/1 در باياس V2 حاصل شده است. در اينجا، مصرف توان مدولاتور pJ/bit08/1 #38;nbsp;تخمين زده شده است. هم #38;shy;چنين نسبت #38;shy; خاموشي اندازه #38;shy;گيري شده، براي نرخ داده Gb/s50 تحت يك ولتاژ پيش #38;shy;ران Vpp3/2، dB62/5 به #38;shy;دست آمده #38;shy;اند. اين نتايج به #38;shy;دست آمده، با مدولاتورهاي بررسي شده در طول #38;shy;موج nm1555 #38;nbsp;قابل مقايسه است.

In this paper, a silicon Mach-Zehnder modulator based on carrier depletion in a lateral PN junction is simulated to optimize its performance at 1310nm telecommunication wavelength. The modulation efficiency 1.55V.cm and phase shifter loss 1.89dB/cm in 2V bias are achieved. Here, the power consumption of the modulator 1.08pJ/bit is estimated. The measured extinction ratio is also obtained for the 50Gb/s data rate under a 2.3Vpp drive voltage. This results are comparable with the demonstrated modulators at 1555nm wavelength. #38;nbsp;