بلور فوتوني تك بعدي تشديدي تنظيم پذير بر پايه نقاط كوانتومي InAs

Tunable resonant 1D photonic crystal based on InAs Quantum dots

ساختار بلور فوتوني تشديدي نقص دار جديد با قابليت پاسخ دهي اپتيكي در ناحيه فروسرخ پيشنهاد گرديده است. اين بلور متشكل از تناوبي از لايه #38;shy;هاي شامل نقاط كوانتومي InAs و سدهاي از جنس GaAs مي #38;shy;باشد. رهيافت ماتريس انتقال به منظور مطالعه مشخصه #38;shy;هاي اپتيكي ساختارهاي پيشنهادي مورد استفاده قرار گرفته و براي افزايش دقت شبيه سازي، برخلاف مطالعات قبلي تاثير اختلالات ناشي از افت و خيز اندازه نقاط كوانتومي و لايه #38;shy;ها نيز در محاسبات وارد گرديده است. نتايج نشان مي #38;shy;دهند كه از بين بردن نظم ساختاري بلور، منجر به خلق يك مد نقص در باند توقف طيف بازتاب آن مي #38;shy;گردد. با توجه به كاربردهاي وسيعي كه ساختار نقص دار در ادوات فوتونيكي همچون سويچ #38;shy;ها و فيلترهاي تمام نوري مي #38;shy;تواند داشته باشد، تنظيم پذيري پاسخ اپتيكي آن با توجه به دماي بلور، زاويه تابش پرتو به بلور و همچنين با استفاده از يك باريكه كنترل بيروني مورد مطالعه قرار گرفته است.

New defective resonant photonic crystals with optical response in infrared frequency range is proposed. This crystals is composed of periodic layers of slabs containing InAs quantum dots (QDs) and GaAs as barriers. Transfer matrix approach is utilized for investigation of the optical features of the proposed structures and in order to increase the simulation accuracy, despite of the previous studies, the effect of the disorders caused by fluctuations of the sizes of the layers/QDs are considered. Results show that disrupting the structural order of the crystal causes a defect mode generation in the band gap of the reflection spectrum. Due to the possible potentials of the defective structures in photonic devices such as optical filters/switches, tunability of its optical response is also investigated with taking into consideration of the crystal temperature, light incident angle and using an external control wave.