بررسي اثر ميدان مغناطيسي بر انتقال حرارت و بهينه سازي مكان آن در كانال هاي حاوي نانو سيالات مغناطيسي

جهت تسريع و بهبود انتقال حرارت درسيستم هاي مختلف، روش هاي متعددي ارايه و پيشنهاد شده است . در اينكار پژوهشي، سعي شده است با استفاده از جريان نانو سيالات حساس به ميدان مغناطيسي، انتقال حرارت جابهجايي اجباري در حضور ميدان مغناطيسي، مورد مطالعه و تحليل قرار گيرد . سيستم مورد بررسي يك كانال افقي دو بعدي است كه ديوارههاي آن در دماي ثابت قرار داشته و منبع مغناطيسي به صورت دو قطبي مغناطيسي عمود بر جهت عبور جريان قرار گرفته است. بررسيها نشان ميدهد كه وجود المان مغناطيسي سبب افزايش عدد ناسلت متوسط ميشود و با بالارفتن شدت ميدان اين افزايش بيشتر مي گردد . هم چنين مشاهده شد بيشترين اثر ميدان روي عدد ناسلت هنگامي اتفاق مي افتد كه تنها از يك المان مغناطيسي با كل توان و آن هم در وسط كانال استفاده گردد