ارائه ساختاري جديد از يك فوتوديود شكست بهمني InGaAs / Si SACM APD جهت آشكار سازي در طول موج تابشي 1550 نانومتر

Introducing a new structure of an InGaAs / Si SACM APD avalanche photodiode for detection at 1550 nm radiation wavelength

در اين مقاله يك آشكارساز مبتني بر پديده شكست بهمني (SACM APD InGaAs/Si) براي آشكار سازي در طول موج 1550 نانومتر ارائه گرديده است. اين آشكارساز با ساختاري ساده، از حيث لايه ها تعريف و پارامتر هاي اصلي آشكار سازي آن همانند جريان تاريك، جريان تابش ، بهره و پاسخ دهي2 ،بهينه شده است. وجه برتري و تمايز اين آشكار ساز اين است كه ولتاژ باياس آن كوچكتر از مدل هاي موجود در مراجع معرفي شده مي باشد و پارامترهاي آشكار سازي آن نيز، قابل رقابت با انها مي باشد. اين ولتاژ باياس حداقل %41 از ديگر مراجع تطبيقي درشرايط مشابه كمتر است. در شاخص (0.9Vbr)‌، جريان تابش 8.3 ميكرو آمپر و جريان تاريك 4.9 نانو آمپرحاصل گشته است. در ولتاژ باياس 25 ولت جريان تابش 51 ميكرو آمپر و جريان تاريك 21 نانو آمپر نسبت به فوتوديود مشابه افزايش مي يابد. از اين آشكار ساز براي كاربري هاي خاصي كه نياز به جريان تاريك بسيار پايين دارند نيز، مي توان بهره برداري نمود.