بررسي مورفولوژي و خواص مغناطيسي نانوسيم هاي مغناطيسي NiP توليدشده به روش رسوب الكتروشيميايي پس از فرايند آندايزينگ آلياژ آلومينيوم ۱۱۰۰

توليد نانوسيم‌هاي مغناطيسي به كمك بستر متخلخل ايجاد شده به روش آندايزينگ يكي از موضوعات مهم در حوزه علم نانو و مهندسي سطح مي‌باشد. در اين پژوهش ابتدا با كنترل دقيق دما و شرايط، آندايزينگ در محيط اسيد اگزاليك در ولتاژ 90 ولت انجام شد. سپس با توجه به ماهيت اكسيدي و غير متخلخل بودن لايه سدي (لايه چسبنده به سطح) با استفاده از كاهش ولتاژ در قسمت نهايي پوشش‌دهي آندايزينگ ضخامت اين لايه به حداقل مقدار ممكن تقليل يافت. بررسي‌هاي XRD و EDS نشان داد كه بستر لايه توليدي متخلخل ماهيت اكسيدي و آمورف دارد. پوشش اكسيدي در اين پژوهش حدود 53 ميكرومتر ضخامت داشت. در مرحله دوم به كمك روش رسوب الكتروشيميايي نانوسيم هاي نيكل-فسفر با خاصيت مغناطيسي بسيار مناسب درون لايه آندايز ايجاد شدند. نانوسيم هاي درون پوشش آندايزينگ داراي ماهيت مخلوط كريستالي-آمورف بودند. بررسي خواص مغناطيسي به كمك آزمون VSM انجام گرديد و مشاهده شد كه وادارنگي مغناطيسي اين نانوسيم ها قابل توجه است و نشان مي دهد كه اين نانوسيم ها مواد مغناطيسي سختي هستند.