بررسي خواص الكترونيكي پروسكايت مضاعف (دوگانه) عاري از سرب به عنوان لايه جاذب در سلول‌هاي خورشيدي پروسكايتي

سلول‌هاي خورشيدي در صنايع دفاعي به عنوان يك منبع انرژي قابل اعتماد و قابل استفاده براي تجهيزات مختلف، از جمله سيستم‌هاي رديابي، انواع سنسورها و سيستم‌هاي نظارتي مورد استفاده قرار مي‌گيرند. اين سلول‌ها امكان تامين انرژي براي تجهيزاتي را فراهم مي‌كنند كه نيازمند منابع پايدار و مداوم هستند، به ويژه در شرايطي كه دسترسي به منابع انرژي متداول مانند برق شهري محدود است. اخيراً، سلول‌هاي خورشيدي پروسكايتي به عنوان يك فناوري نوظهور در حوزه انرژي، اهميت زيادي در صنايع دفاعي دارند. اين نوع سلول‌هاي خورشيدي به دليل ويژگي‌هايي مانند وزن سبك، انعطاف‌پذيري، توليد الكتريسيته در شرايط نور كم و خورشيد، مي‌توانند در بسياري از برنامه‌هاي صنعتي و نظامي مورد استفاده قرار گيرند. از طرفي، پروسكايت‌هاي (مضاعف) دوگانه عاري از سرب به دليل پايداري بالا و سميت كم در سلول‌هاي خورشيدي پروسكايتي مورد توجه قرار گرفته‌اند. در اين مقاله، بررسي نظري خواص الكترونيكي بر اساس تئوري تابعي چگالي (Density functional Theory)، نشان داد كه پروسكايت جديد دوگانه عاري از سربK2AgBiBr6 ، يك گزينه مناسب به عنوان لايه جاذب نور در سلول خورشيدي پروسكايتي است. در اين مقاله، با استفاده از تقريب (GGA-PBE)، ساختار بلوري و خواص الكترونيكي پروسكايت دوگانه K2AgBiBr6 به شكل بالك مكعبي و دوبعدي با برش‌ 100 آن بررسي شده‌اند. بر اساس محاسبات تحركت حامل‌هاي بار، انرژي اكسايتون و گاف انرژي، ساختار بالك مكعبي پروسكايت دوگانه K2AgBiBr6 از لحاظ ساختار الكترونيكي عملكرد مناسبي به عنوان لايه جاذب در سلول خورشيدي پروسكايتي پايدار دارد.