شماره ركورد كنفرانس :
5286
عنوان مقاله :
مدلسازي فيزيكي و سطح مدار افزاره هاي تك الكتروني
پديدآورندگان :
انوري فرد محمد كاظم دانشكده فني و مهندسي شرق گيالن، دانشگاه گيالن، گروه علوم مهندسي و مهندسي كامپيوتر، رودسر، واجارگاه، ايران
كليدواژه :
ترانزيستور تك الكتروني , نانوالكترونيك , ترانزيستور اثر ميداني , سطح مدار
عنوان كنفرانس :
پنجمين كنفرانس بينالمللي محاسبات نرم
چكيده فارسي :
چكيده نانوالكترونيك ميتواند در رسيدن به ابعاد هر چه كوچكتر راهگشا بوده و با توجه به مزاياي حاصل از آن، آينده صنعت الكترونيك را تسخير نمايد. در اين راستا و به منظور بكارگيري هرچه بيشتر و مؤثرتر نانو تكنولوژي در ساختار قطعات الكترونيك، ترانزيستورهاي تك الكتروني بسيار مورد توجه واقع شده اند. . افزاره هاي تك الكترون و به خصوص ترانزيستور هاي تك الكترون، در سال هاي اخير به منظور استفاده از مدار هاي مجتمع ما فوق چگال بسيار مورد توجه واقع شده اند. اين قطعات قابليت عملكردي تنها با انتقال چند الكترون در هر مرحله كه توان بسيار پاييني را مصرف مي كند، دارند. با نزديك شدن به حد نهايي كوچك سازي ابعاد ترانزيستور هاي اثر ميداني، تلاش ها براي جاي گزين كردن اين ترانزيستور ها رو به افزايش است. ادوات تك الكتروني به دليل ابعاد بسيار كوچك در حد نانو متر و مصرف توان بسيار كم، اميد هاي زيادي را براي استفاده در مدار هاي مجتمع آينده در بين محققان ايجاد كرده است. با دنبال كردن مسير كاهش ابعاد ترانزيستور هاي اثر ميدان به معرفي ترانزيستور هاي تك الكتروني به عنوان كانديدايي مناسب براي جاي گزين كردن آن ها مي رسيم. در ادامه به بررسي ترانزيستور تك الكترون و هم خانواده هاي آن به لحاظ فيزيكي و مداري مي پردازيم.