شماره ركورد كنفرانس :
5301
عنوان مقاله :
طراحي نانو نوارهاي فسفرن سياه داراي خط نقص توسعه يافته جهت كاربرد در ژنراتورهاي ترموالكتريكي
پديدآورندگان :
بهارلويي يانچشمه نرگس narge.baharloi@grad.kashanun.ac.ir كارشناسي ارشد، دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر دانشگاه كاشان , كرمي طاهري حسين karamitahe@kashanun.ac.ir استاديار، دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر دانشگاه كاشان
كليدواژه :
ترموالكتريك , ضريب شايستگي ماژول , فسفرن سياه , خط نقص توسعه يافته , روابط لاندائور
عنوان كنفرانس :
هشتمين كنفرانس دوسالانه انرژي پاك
چكيده فارسي :
امروزه، ژنراتورهاي ترموالكتريكي به عنوان مبدل‌هاي انرژي پاك جهت تبديل انرژي گرمايي تلفاتي به انرژي الكتريكي، بسيار مورد توجه قرار گرفته‌اند. در اين مطالعه به كمك تئوري تابعي چگالي و به كارگيري روابط لاندائور، پارامترهاي موثر در كارايي ترموالكتريكي نانو نوارهاي فسفرن سياه مورد محاسبه و ارزيابي قرار گرفته‌اند. نتايج نشان مي‌دهند كه با اضافه كردن خط نقص توسعه يافته مي‌توان باندهايي در محدوده شكاف باند انرژي ايجاد كرد. اين باندها مي‌توانند خصوصيات ترموالكتريكي را به شدت تغيير دهند. در نيمه هادي‌هاي نوع p در كل محدوده دمايي مورد مطالعه و در نيمه هادي‌هاي نوع n در دماهاي بالا، ضريب شايستگي ترموالكتريكي در ساختار شامل خط نقص توسعه يافته از ساختار بدون نقص بيشتر است. طبق نتايج به دست آمده، ضريب شايستگي ترموالكتريكي ميانگين براي ماژول ترموالكتريكي شامل قطعات نيمه هادي نوع n و نوع p در ساختار با خط نقص توسعه يافته با بيش از ۳۰ درصد افزايش نسبت به ساختار بدون نقص به مقدار تقريبي ۴۴/۴ مي‌رسد.
