بررسي اثرات ميدان مغناطيسي بر خواص گرمايي GeC تك لايه

Investigation of the effects of the magnetic field on the thermal properties of GeC monolayer

در اين مقاله، با استفاده از مدل تنگ بسط و فرمول كوبو-گرينوود، خواص گرمايي GeC تك لايه در حضور ميدان مغناطيسي بررسي شده است. در مرحله اول، با استفاده از نتايج محاسبات تابعي چگالي و تطبيق آنها با فرمولبندي تئوري، پارامترهاي مورد نياز مدل تنگ بسط براي ساختار GeC به دست آمده است.با استفاده از پارامترهاي به دست آمده، رفتار تابع چگالي حالتها، ظرفيت گرمايي و رسانندگي گرمايي در حضور ميدان مغناطيسي، بررسي شده است. نتايج نشان مي دهد كه گاف انرژي اين ساختار تحت تاثير ميدان قوي مغناطيسي كاهش يافته، اما تبديل به فلز نمي شود. با بررسي خواص گرمايي بر حسب دما، نتايج نشان مي دهد كه اين خواص ابتدا صفر بوده و سپس با افزايش دما، افزايش مي يابند. ميدان مغناطيسي باعث افزايش اين خواص در بازه دمايي كوچك مي شود و دليل آن افزايش انرژي حاملهاي بار مي باشد. در مقايسه با گرافن، ساختار GeC، داراي خواص گرمايي كوچكتري مي باشد.

In this paper, the thermal properties of monolayer GeC are investigated using the tight binding model and Kubo-Greenwood formula. In the first step, using the DFT results and matching them with the theoretical formulation, the required parameters for the tight binding model for the GeC structure are obtained. The results show that the energy gap of this structure is reduced under the influence of a strong magnetic field, but it remains as semiconductor in the presence of the strong magnetic field. By investigation the thermal properties in terms of the temperature, the results show that the thermal properties of the selected structures, increase from zero. By applying the magnetic field, the increasing rate for the thermal properties increases in the lower temperature region due to the increasing the thermal energy of charge carriers. Compared to graphene, the structure of GeC has smaller creamy properties.