بررسي خواص الكتروني و اپتيكي تاليوم نيتريد (TlN) در فاز ورتسايت با استفاده از نظريه تابعي چگالي

The investigation of electronic and optical properties of TlN in wurtzite phase by density function theory

امروزه آشكاسازهاي نوري مادون قرمز به دليل عمق نفوذ بالاي نور مادون قرمز بسيار مورد توجه قرار گرفته اند. از اينرو نيمه هادي­هايي كه داراي گاف نواري بسيار باريك مي­باشند مي­توانند به عنوان مواد فتواكتيو در كاربردهاي آشكارسازهاي نور IR مورد استفاده قرار گيرند و تاليوم نيتريد در فاز ورتسايت داراي گاف نواري باريكي بوده و مي­تواند گزينه مناسبي براي اين منظور باشد. به همين منظور با استفاده از كد Wien2k در تقريب GGA(PBE) به محاسبه گاف نواري ، ثابت دي الكتريك، ضريب جذب، رسانندگي اپتيكي، ضريب شكست، ضريب خاموشي، بازتابندگي انرژي و تابع اتلاف انرژي تاليوم نيتريد در هر دوجهت E||c ( ميدان الكتركي موازي با محور c ) c⊥E (ميدان الكتريكي عمود بر محور c) پرداختيم.

Infrared photodetectors have gained attention because of its high penetration depth of IR light. Narrow band gap semiconductors can function as photoactive materials in IR photodetector applications. Herein, the TlN in wurtzite phase is proposed because the TlN has narrow band gap and is a good candidate. We calculated the band gap, dielectric function, absorption coefficient, optical conductivity, refraction index, extinction index, reflectivity, and energy loss function of the TlN within GGA (PBE) approximation by wien2k code in both directions E||c (electric field parallel to c axis) and E ⊥ c (electric field perpendicular to c axis).