بررسي اثر پوشش محلول آبي آمونيوم فلورايد بر ساختار لايه نازك دي اكسيد قلع براي استفاده به عنوان لايه‌ي انتقال دهنده‌ي الكترون در ادوات اپتوالكترونيك

Investigating the effect of ammonium fluoride aqueous solution coating on the structure of tin dioxide thin layer for use as electron transporter layer in optoelectronic devices

در اين تحقيق از ماده ي SnO2براي ساخت يك لايه نازك انتقال دهنده‌ي الكترون براي استفاده در ادوات اپتوالكترونيك استفاده شد. ويژگي هاي اپتيكي مانند عبور و گاف انرژي و ويژگي هاي ريخت شناسيمورد نظر مانند ضخامت ، كيفيت پوششي و زاويه تماس اندازه گيري شدند.سپس اثر محلول NH4F بر خواص ياد شده مد نظر قرار گرفت.تغييرات بدست آمده مطابق باپيش نياز هاي لايه ي انتقال دهنده ي الكترون در ادوات اپتوالكترونيك بود.

In this research, SnO2  material was used to make a thin layer of electron carrier for use in optoelectronic devices. Optical properties such as transmission and band gap and desired morphological properties such as thickness, surface coating quality and contact angle were measured. Then the effect of NH4F solution on the mentioned properties was re-examined. The obtained changes were in accordance with the prerequisites of the electron transporter layer in optoelectronic devices.