توليد و مشخصه يابي نانوسيم هاي سيليكوني: تاثير زمان سونش

Production and characterization of silicon nanowires:effect of etching time

ازآنجا كه نانوسيم‌هاي سيليكوني مي‌توانند به عنوان بلوك هاي سازنده قطعات الكترونيكي در مقياس نانو بدون نياز به امكانات پيچيده و پر هزينه ساخت عمل كنند، يكي از مهم ترين مواد تك بعدي در نظر گرفته مي شوند.آنها به دليل خواص منحصر به فرد نوري، الكتريكي، مكانيكي، حرارتي و شيميايي توجه‌ زيادي را به خود جلب كرده‌اند. به طور خاص، نانوسيم‌هاي سيليكوني به عنوان يك منبع اميدواركننده در زمينه‌هاي مختلف مانند اپتيك، فوتونيك، الكترونيك، فوتوولتائيك و حسگري در حال ظهور هستند. در اين پژوهش، فرآيند ساخت نانوسيم‌هاي سيليكوني نوع p به روش سونش شيميايي به كمك فلز با موفقيت انجام گرفته است و رشد نانوسيم‌هاي سيليكوني به ازاي زمان‌هاي مختلف سونش شيميايي بررسي شده است. ساختار و مورفولوژي نانو سيم‌هاي سيليكوني بر روي بستر سيليكوني توسط تصوير برداري ميكروسكوپ الكتروني روبشي گسيل ميداني بررسي و تاييد شده است. نتايج حاصل از پژوهش نشان مي‌دهد كه با تغيير زمان سونش شيميايي مي‌توان به ساختارهايي با مورفولوژي، ابعاد و جهت گيري‌هاي متفاوت دست يافت.

chemical properties. In particular, silicon nanowires are emerging as a promising resource in various fields such as optics and photonics, electronics, photovoltaics, and sensing. In this research, the process of manufacturing p-type silicon nanowires by metal-assisted chemical etching has been successfully carried out and the growth of silicon nanowires has been investigated for different times of chemical etching. Structure and morphology of silicon nanowires on a silicon substrate. It has been checked and confirmed by field emission scanning electron microscope imaging. The experimental results show that structures with different morphologies, dimensions, and distribution can be achieved by changing the chemical etching time.