شماره ركورد كنفرانس :
5339
عنوان مقاله :
نيمه‌رساناهاي β-Ga2O3 با شكاف نوار فراپهن: فرصت‌ها و چالش‌ها
عنوان به زبان ديگر :
Ultrawide bandgap β-Ga2O3 semiconductors: opportunities and challenges
پديدآورندگان :
جمالي حسين h.jamali@mut-es.ac.ir مجتمع علم مواد و مواد پيشرفته الكترومغناطيس، دانشگاه صنعتي مالك اشتر , احمدي پيداني راحله blue13mehr@gmail.com مجتمع علم مواد و مواد پيشرفته الكترومغناطيس، دانشگاه صنعتي مالك اشتر
كليدواژه :
الكترونيك قدرت , نيمه‌رسانا , شكاف نوار فراپهن , بتا گاليا (β-Ga2O3)
عنوان كنفرانس :
دوازدهمين كنفرانس بين المللي مهندسي مواد و متالورژي
چكيده فارسي :
فناوري كنوني با رواج الكترونيك قدرت مشخص مي‌شود، كه به طرز فوق‌العاده‌اي درحال فراگيري و تكامل است. الكترونيك قدرت بخش جدايي‌ناپذير تمام حوزه‌هاي حياتي انرژي الكتريكي مي‌باشد. درحال حاضر، ادوات قدرت نيمه‌رسانا به‌طور گسترده‌اي مورد استفاده قرار مي‌گيرند. اگرچه سيليكون طي سال‌ها بر صنعت نيمه‌رساناي قدرت تسلط داشته است، اما ماده مناسبي براي تحقق ادوات قدرت ايده‌آل نيست. بر اين اساس، نسل بعدي نيمه‌رساناها، يعني مواد با شكاف نوار پهن (WBG) و شكاف نوار فراپهن (UWBG) به‌منظور جايگزيني سيليكون در حال بررسي هستند. فاز بتاي اكسيد گاليوم (β-Ga2O3) بر جديدي از خانواده نيمه‌رساناهاي UWBG است كه در اين سال‌ها به سرعت مورد توجه قرار گرفته است. در اين مقاله، ابتدا مروري بر معرفي نيمه‌رساناها و مقايسه عملكرد انواع نيمه‌رساناهاي با شكاف نوار فراپهن بيان مي‌شود. سپس، به بررسي ساختار بلوري و نواري، آلاينده‌ها و نقص‌ها، روش‌هاي توليد، چالش‌ها و فرصت‌هاي پيش‌روي بتاگاليا (β-Ga2O3) به‌عنوان يك ماده اميدواركننده خواهيم پرداخت.
چكيده لاتين :
Current technology is characterized by power electronics extension, which is growing and evolving tremendously. Power electronics is essential part of all vital areas of electrical energy. At present, semiconductor power devices are widely used. Although silicon has dominated the power semiconductor industry for years, it is not a suitable material for realizing ideal power devices. Accordingly, the next generation of semiconductors, i.e., wide bandgap (WBG) and ultrawide bandgap (UWBG) materials, are being investigated to replace silicon. Beta phase of gallium oxide (?-Ga2O3) is a new member of the UWBG semiconductor family, which has gained attention in these years rapidly. The purpose of this article is to present a review study on the introduction of semiconductors and compare the performance of various types of ultrawide bandgap semiconductors. Then, we will investigate the crystal and band structure, dopants and defects, production methods, challenges and opportunities of beta gallia (?-Ga2O3) as a promising material.
