مدلسازي عددي انتقال حرارت جابه جايي نانوسيال آب/ مس در يك كانال سينوسي تحت تاثير ميدان مغناطيسي

در اين مطالعه، انتقال حرارت جابه جايي اجباري نانوسيال آب/ مس در يك كانال سينوسي تحت تاثير ميدان مغناطيسي به صورت آرام، پايا و تراكم ناپذير در يك كانال سينوسي به روش عددي مورد بررسي قرار گرفته است. كسر حجمي نانوذرات 3 درصد است. محدوده عدد رينولدز جريان 500 ≤ Re ≤ 100 است. اعمال ميدان مغناطيسي در 4 عدد هارتمن مختلف (20، 40، 60 و 80) مورد بررسي قرار گرفته است. شار حرارتي ثابت w⁄m^2 100، در جداره هاي كانال اعمال شده است. معادلات اساسي حاكم به روش حجم محدود گسسته سازي مي شوند و جهت ارتباط بـين ميـدان سـرعت و فشار از الگوريتم سيمپل استفاده شده است. از مدل ماكسول و مدل برينكمن به ترتيب براي رسانش حرارتي و وسكوزيته ديناميكي نانوسيال استفاده شده است. شبكه هندسه مورد نظر در مسئله حاضر شبكه سازمان يافته است. نتايج حاصل حاكي از آن است كه با افزايش عدد هارتمن و دامنه موج نرخ حرارت منتقل شده بهبود يافته است. به نحوي كه عدد ناسلت، با افزايش عدد هارتمن و دامنه موج به ترتيب حدود 9/14 و 19/24 درصد افزايش يافت.