شماره ركورد كنفرانس :
5370
عنوان مقاله :
بررسي تاثير آلايش هاي LDD ، Halo,Retrograde بر ولتاژ آستانه و اثر كانال كوتاه (DIBL ) در ترانزيستور 90 نانومتري PMOS
پديدآورندگان :
رضايي آرش دانشگاه رازي , رادملكشاهي مزدك دانشگاه رازي
كليدواژه :
آلايش , ترانزيستور PMOS , كانال كوتاه , نرخ داپينگ.
عنوان كنفرانس :
اولين كنفرانس بين المللي پژوهش ها و فناوري هاي نوين در مهندسي برق
چكيده فارسي :
– با تغيير مقياس دادن در ترانزيستور ها به علت دست يافتن به عملكرد بهتر و همچنين كم شدن هزينه ساخت، آثار كانال كوتاه باعث اختلال در عملكرد افزاره مي شوند به همين دليل در اين مقاله به ارزيابي يك ترانزيستور ماسفت نوع p با طول كانال 90 نانومتر مي پردازيم، نشان مي دهيم كه با بررسي تغييرات ناخالصي در آلايش هاي هاله گون Halo و LDD و Retrograde مي توانيم تاثيرات كانال كوتاه را در ترانزيستور ماسفت بهبود ببخشيم.
