ترانزيستور TFET ، ساختار فيزيكي، عملكرد و بهترين حالت بهينه جريان و ولتاژ

اخيرا كوچك سازي ترانزيستور هايCMOS به اندازه هاي زير 100nm براي رسيدن به سرعت بيشتر با مشكلات زيادي (افزايش سوئيچينگ، جريان نشتي بالا، اثرات كانال كوتاه و ...) روبرو شده است، از اين رو ترانزيستور اثرميدان تونلي TFET يكي از بهترين نيمه هادي هاي در حال حاضر براي جايگزيني ترانزيستور هاي اثرميدان MOSFET است، در اين مقاله ما با ايجاد تغيير در جنس ساختار ترانزيستور به بررسي حالتي بهينه جهت افزايش جريان دهيTFET در ولتاژهايي متفاوت ميپردازيم.