طراحي، تحليل و شبيه سازي يك ترانزيستور اثرميداني نيمه هادي اكسيدفلزي دوگانه بهبود يافته در نرم افزار TCAD SilVaco

- در اين مقاله به ارائه و بررسي مقايسه اي يك ترانزيستوراثر ميداني نيمه هادي اكسيد فلزي دوگانه(DMOSFET)پرداخته شده است كه با استفاده از نرم افزار TCAD Silvacoطراحي و شبيه‏سازي شده است. اين ترانزيستور به ازاي سناريوهاي گوناگون دفيوژن مورد بررسي قرار گرفته است . ترازيستور ارائه شده داراي عرض كانال 20 ميكرومتري است و ولتاژ شكست و مقاومت حالت روشن آن به ترتيب 719 ولت و 383ميلي اهم بر سانتي‏متر مربع مي‏باشد. هم چنين نرخ I_روشن/I_خاموش آن حدود 493.25است. بنابراين باتوجه به مشخصه‏هاي بسيار مناسب افزاره طراحي شده از اين ترازيستور در بسياري از مدارت الكترونيكي و تجهيزات توان مي‏توان بهره برد