موجبر هايبريدي سيليكوني-گرافني با پوشش عايقي با طول انتشار بلند و سطح موثرمد بهبود يافته

دراين مقاله يك ساختار موجبر هايبريدي سيليكون-گرافن به صورت دوبعدي مورد بررسي قرار گرفته است، در اين ساختار يك لايه دي الكتريك با ضريب دي الكتريك نسبي بالا بر روي لايه گرافن با زيرلايه سيليكون قرارداده شده، دراين ساختار با تنظيم پذيري گرافن مي توان تحديد نوري مناسبي در لايه گپ دي اكسيد سيليون(SiO2) ايجاد كرده تا بتوان طول انتشار به نسبت بلند به حداكثر مقدار 1/760 ميكرومتر با سطح موثرمد بهبوديافته با حداقل سطح موثرمد به مقدار 018/0 دست يافت. در اين ساختار پيشنهادي توان نوري و ضريب شايستگي(FOM) موجبر مورد ارزيابي قرار گرفته كه نتايج نشان مي دهد اين دستگاه عملكرد مناسبي نسبت به ديگر موجبرها داشته است.