بررسي ساختار الكتروني تركيبات (XCsK (X = Si,Ge, Sn با استفاده از نظريه تابعي چگالي

محاسبات برپايه ي نظريه ي تابعي چگالي (DFT) براي آلياژهاي نيم هويسلر XCsK(X=Si, Ge, Sn) با استفاده از روش امواج تخت بهبود يافته با پتانسيل كامل (FPLAPW) به منظور بررسي خواص ساختاري، الكتروني و مغناطيسي انجام شد. اين تركيبات فرومغناطيس نيم فلز هستند. در گام نخست خواص ساختاري شامل پارامتر شبكه ي تعادلي، مدول حجمي و مشتق مدول حجمي براي اين تركيبات در سه ساختار متفاوتYΙΙ, YΙ و YΙΙΙمحاسبه شده است. ساختارهاي نواري و چگالي حالت ها مطالعه شدند. ساختار نوار انرژي اين تركيبات، خاصيت نيم فلزي را تاييد مي كند. هم چنين منشاء گاف هاي نواري اكثريتي در تركيبات مختلف مورد بحث قرار گرفته است. مقادير گاف اكثريتي با تغيير عنصر X از Si Ge Sn كاهش مي يابد. در همه ي تركيبات مقادير قابل ملاحظه ي گاف نيم فلزي نشان دهنده ي پايداري خاصيت نيم فلزي در همه تركيبات است. گشتاورهاي مغناطيسي كلي و جزئي تركيبات نيم فلزي XCsK (X=Si,Ge,Sn) برابر با μB2 به دست آمده است كه از رابطة اسليتر پائولينگ μB = (8 – Zt ) Mtot تبعيت مي‌كنند