رشد نانو و ميكرو لوله هاي مسي با روش الكترولس در آشكارسازهاي ردپاي هسته اي سونش شده

در اين مقاله، نانو و ميكرو لوله هاي مسي در آشكارسازهاي ردپاي هسته اي سونش شده با استفاده از روش انباشت الكترولس رشد داده شده اند. آشكارساز ردپاي هسته اي سلولز نيترات با يون سنگين 238U ( با انرژي MeV/u 34/16 و چگالي 104-105 ions/cm2) در شتابدهنده GSI، دارمشتات پرتو دهي شدند. بعد از پرتودهي نمونه ها با سونش شيميايي ردهاي نهان تشكيل شده در آشكارساز، قالب هايي متخلخل با حفره هاي استوانه اي باز با قطر چند صد نانو متر تهيه شدند. نانو و ميكرو لوله ها در حفره هاي استوانه اي تشكيل شده در اين قالب هاي يوني سونش شده و متخلخل رشد داده مي شوند. رشد نانو و ميكرو لوله ها با روش الكترولس شامل سه مرحله مهم، پيش فعالسازي، فعالسازي حفره ها و سپس مرحله انباشت براي رشد لوله ها مي باشند. در اين كار تحقيقاتي شرايط بهينه هر مرحله براي رشد نانو و ميكرو لوله هاي مسي تعيين شد و همچنين تاثير دما بر روي ساختار نانو و ميكرو لوله هاي مسي رشد داده شده مورد بررسي قرار گرفت.