شماره ركورد كنفرانس :
5421
عنوان مقاله :
بررسي خواص الكترونيكي و نوري تك لايه GaSe در حضور ناخالصي هاي گروه IV
پديدآورندگان :
حسيني المدواري رضيه السادات rs.hosseini20@yahoo.com دانشگاه آزاد اسلامي واحد يزد , نيري مريم nayeri@iauyazd.ac.ir دانشگاه آزاد اسلامي واحد يزد , فتوحي سميه s.fotoohi@iiau.ac.ir دانشگاه آزاد اسلامي واحد اسلامشهر
كليدواژه :
تابع دي الكتريك , سلنيدگاليم , ناخالصي
عنوان كنفرانس :
اولين كنفرانس بين المللي و هفتمين كنفرانس ملي مهندسي برق و سيستم‌هاي هوشمند
چكيده فارسي :
پژوهش حاضر، ويژگي هاي الكترونيكي و نوري تك لايه سلنيدگاليم (GaSe) خالص و آلايش يافته با اتم هاي گروه چهارم جدول تناوربي را مورد بررسي قرار مي دهد. محاسبات در چارچوب تئوري تابعي چگالي (DFT) و در بستر نرم افزاري سياستا صورت پذيرفته است. نتايج محاسبات نشان مي دهد كه با اعمال ناخالصي شكاف نوار تغيير مي كند، به گونه اي كه با اعمال ناخالصي گروه4 در موقعيت Se نيمه هادي از غير مستقيم به مستقيم تبديل شده و غيرمغناطيسي هستند كه بيشترين شكاف انرژي eV 1.039 مربوط به جايگزيني اتم Si در موقعيت اتم Se مي باشد كه مي توان از اين ساختارها در افزاره هاي الكترونيك نوري استفاده نمود. همچنين خواص نوري ساختارها مورد بررسي قرار گرفت كه اولين قله بخش موهومي در اطراف انرژي شكاف رخ داد. نتايج نشان داد كه مي توان از اين ساختارها در الكترونيك نوري، نانو الكترونيك و اسپينترونيك استفاده نمود.
