شماره ركورد كنفرانس :
5467
عنوان مقاله :
روش‌هاي كاهش شكست مانايي در حافظه‌هاي اصلي مبتني بر STT-MRAM
پديدآورندگان :
مهدوي نوشين noooshin.mahdavi@iau.ac.ir گروه مهندسي برق، دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر، دانشگاه آزاد اسلامي واحد يادگار امام خميني شهر ري، تهران، ايران , ابراهيمي مريم maryam.ebrahimi@iau.ac.ir گروه مهندسي برق، دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر، دانشگاه آزاد اسلامي واحد يادگار امام خميني شهر ري، تهران، ايران
كليدواژه :
حافظه اصلي , شكست مانايي , فناوري STT , MRAM , قابليت اطمينان
عنوان كنفرانس :
اولين كنفرانس بين المللي ايده هاي نو در مهندسي برق
چكيده فارسي :
با پيشرفت فناوري، محدوديت هاي DRAM چالش هاي زيادي را در طراحي حافظه اصلي سامانه‌هاي كامپيوتري بوجود آورده است. اين محدوديت ها سبب گرديده تا طراحان به دنبال جايگزيني حافظه هاي غيرفرار نوظهور در حافظه اصلي باشند. از ميان حافظه‌هاي نوظهور، حافظه STT-MRAM به دليل مزاياي فراوان و شباهت در ساختار و مشخصه‌هاي الكتريكي حافظه DRAMبه عنوان يك فناوري اميدواركننده در جايگزيني حافظه اصلي محسوب مي شود. اما اين فناوري به دليل سوئيچينگ تصادفي و وابستگي شديد به تغييرات دمايي داراي چالش در عمليات نگهداري داده مي‌باشد كه قابليت اطمينان را در حافظه تحت تأثير قرار مي دهد و قبل از بكارگيري اين فناوري ها در حافظه اصلي بايد راهكاري براي افزايش قابليت اطمينان در آن ها ارائه گردد. در اين مقاله راهكارهاي موثر در كاهش خطاي نگهداري بررسي و مقايسه‌ي كيفي انجام مي‌شود.
