شماره ركورد كنفرانس :
5492
عنوان مقاله :
بررسي حذف آهار و عمليات حرارتي دما بالاي الياف كربن بر استحكام خمشي كامپوزيت هاي C/C-SiC ساخته شده به روش LSI
پديدآورندگان :
سعيد علوي سيد محمد mo_alavi@ihu.ac.ir دانشگاه جامع امام حسين(ع) , وزيري سيد عباس avaziri@ihu.ac.ir دانشگاه جامع امام حسين(ع) , وزيري عباس m-alizadeh@aut.ac.ir دانشگاه جامع امام حسين(ع)
كليدواژه :
كامپوزيت C , C-SiC , رزين فنوليك , LSI , حذف آستر الياف كربن , عمليات حرارتي دما بالاي الياف كربن
عنوان كنفرانس :
دومين كنفرانس بين المللي و ششمين كنفرانس ملي مهندسي مواد، متالورژي و معدن
چكيده فارسي :
در كامپوزيتهاي C/C-SiC دو بعدي معمولاً عيب تورق محتمل است. براي غلبه بر اين عيب معمولاً از راهكارهاي مختلفي استفاده ميشود. يكي از اين راهكارها بهبود استحكام برشي بين لايهاي كامپوزيت از طريق اصلاح پيوند زمينه- الياف است. در اين مقاله سه كامپوزيت C/C-SiC با الياف كربن اصلاح نشده، الياف كربن بدون آهار و الياف كربن عمليات حرارتي شده در دماي بالا به روش LSI ساخته شد. كامپوزيت C/C-SiC با الياف كربن اصلاح نشده به علت ضخامت بيش از mm 4 پس از LSI دچار تورق شد. كامپوزيت هاي C/C-SiC با الياف بدون آهار و عمليات حرارتي شده در دماي بالا پس از LSI دچار تورق نشدند و ريزساختار خوبي دارند.