ساخت كامپوزيت C/C-SiC دو بعدي با استفاده از رزين فنوليك و روش LSI

در اين مقاله كامپوزيت C/C-SiC با استفاده از رزين فنوليك به عنوان پيش ماده كربني و روش LSI ساخته شده اند. به منظور بررسي اثر دماي پيروليز و LSI بر ريزساختار و استحكام خمشي كامپوزيت هاي C/C-SiC، سه نمونه A، B و C با دما پيروليز و LSI متفاوت ساخته شدند. الگوهاي پراش اشعه ايكس اين كامپوزيت ها تاييد كننده تشكيل زمينه كاربيد سيليسيم و زمينه كربني است. همچنين افزايش چگالي كامپوزيت ها نشانه ديگري از تشكيل زمينه كاربيد سيليسيم است. از طرف ديگر افزايش دماي پيروليز موجب افزايش تعداد و عرض ترك هاي مويين در پريفرم كربن/كربن و درنتيجه افزايش استحكام خمشي شده است. همچنين افزايش دماي LSI موجب افزايش چگالي، درصد زمينه كاربيد سيليسيم و افزايش استحكام خمشي شده است.