مقايسه كننده ديناميكي پربازده با استفاده از ترانزيستور نانولوله كربني

در اين مقاله، يك مقايسه كننده ديناميكي دو طبقه، كم توان و با نويز پايين با استفاده از ترانزيستورهاي نانولوله هاي كربني (CNTFET)، طراحي شده است. در طراحي ترانزيستورهاي مدار مورد نظر، از مدل استنفورد استفاده شده است. در ادامه ي مقاله، نتايج شبيه سازي، كه با بهره گيري از نرم افزار شبيه سازي مدارات الكترونيكي، HSPICE در تغذيه 1 ولت و فركانس كاري 500 مگاهرتز، به دست آمده، ارائه گرديده است. نتايج شبيه-سازي مقايسه كننده ديناميكي در فناوري CNTFET، بهبود قابل توجهي در پارامتر توان، نسبت به طراحي هاي مشابه در فناوري CMOS نشان مي دهد. توان مصرفي مقايسه كننده ي معرفي شده، بطور تقريبي،533/53 ميكرو وات به دست آمده است كه اين عدد نسبت به مقايسه كننده هاي مبتني بر CMOS، حداقل سي درصد بهبود يافته است. دامنه نويز كيك بك در مدار پيشنهادي 7/6 ميلي ولت به دست آمده است كه كاهش اين پارامتر نسبت به مدارهاي مشابه آن كه با فناوري هاي CMOS طراحي شده است، بسيار چشمگير بوده است. كليد واژه- مقايسه كننده، نانولوله هاي كربني، توان مصرفي.