بررسي تحليلي رفتار سلول خورشيدي پنج پيوندي مبتني بر لايه هاي Ge و آلياژهاي InAlGaAs و InAlGaP

در سالهاي اخير، شاهد پيشرفتهاي چشمگيري در زمينه توليد سلولهاي خورشيدي با كاهش قيمت و افزايش بازده آنها هستيم. يكي از مراحل ايجاد پيشرفت در سلولهاي جديد، بررسي عملكرد سلولها تحت شرايط مختلف به كمك شبيه سازيهاي انجام شده قبل از ساخت آنها مي باشد. در اين مقاله ساختار سلول خورشيدي چندپيوندي متشكل از لايه هاي Ge، آلياژهاي InAlGaAs و آلياژهاي InAlGaP بطور جامع بررسي خواهد شد. براي رسيدن به بالاترين بازده، پايين ترين لايه جاذب سلول خورشيدي (سلول خورشيدي Ge) را در ابتدا شبيه سازي نوري كرده، سپس آن را شبيه سازي الكتريكي خواهيم كرد. پس از بهينه سازي سلول خورشيدي Ge، لايه هاي مياني بين سلول ها (پيوندهاي تونلي) و سپس لايه هاي جاذب بالاتر به ترتيب بهينه سازي خواهند شد. منظور از بهينه سازي سلول هاي خورشيدي در هر لايه جاذب، انتخاب مناسب ضخامت، چگالي ناخالصي و درصد مولي لايه ها بگونه اي است كه بالاترين بازده بدست بيايد. بر اساس نتايج شبيه سازي بازده بيش از 49 درصد براي سلول 5 پيوندي حاصل شده است.