طراحي يك تقويت كننده ي كم نويز در باند 2/4 گيگا هرتز با استفاده از بهبود ساختار در تطبيق امپدانس ورودي

در اين مقاله، روشي براي بهبود كاركرد ورودي مدار تقويت كننده ي كم نويز CMOS ارايه شده، كه اين امر منجر به كاركرد بهتر اين مدار از لحاظ عدد نويز، افزايش بهره و نيز كاهش توان مصرفي به ازاي تغذيه ي پايين شده است. در ساختار پيشنهادي، از تركيب دو روش دژنراسيون القايي منبع (SID) و سري L براي ورودي تقويت كننده ي كم نويز استفاده شده تا بهترين تطبيق امپدانس در ورودي مدار صورت گيرد. همانگونه كه در ادامه نشان داده شده است، اين روش در مقايسه با تكنيك افزايش سلف در سورس ترانزيستور بهعلت تطبيق امپدانس، كاراتر و كاربردي تر خواهد بود. نتايج شبيه سازي نشان داده كه بهره ي تبديل اين مدار 19.22 دسي بل، عدد نويز 1.76دسي بل و تلفات برگشتي ورودي S11 آن برابر با 25.58- دسي بل است. معماري اين مدار بر اساس ولتاژ تغذيه ي 1.5 ولت انجام گرفته است تا توان مصرفي اين مدار به 9ميلي وات كاهش يابد.