شماره ركورد كنفرانس :
5547
عنوان مقاله :
بررسي مشخصه هاي الكتريكي نانو ترانزيستور تونلي بدون پيوند InAs/GaAs0.1Sb0.9 كانال n با آلايش الكتريكي
پديدآورندگان :
محمدخاني غياثوند مهدي mq.mahdi@yahoo.com گروه الكترونيك، دانشكده مهندسي برق، دانشگاه آزاد اسلامي واحد يادگار امام خميني (ره) شهر ري، تهران، ايران , آهنگري زهرا z.ahangari@iausr.ac.ir گروه الكترونيك، دانشكده مهندسي برق، دانشگاه آزاد اسلامي واحد يادگار امام خميني (ره) شهر ري، تهران، ايران , نعمتيان حامد h.nematian@ieee.org گروه الكترونيك، دانشكده مهندسي برق، دانشگاه آزاد اسلامي واحد يادگار امام خميني (ره) شهر ري، تهران، ايران
كليدواژه :
پيوند نامتجانس , ترانزيستور تونلي , تونل زني نوار به نوار , سوئينگ زير آستانه
عنوان كنفرانس :
دومين كنفرانس ملي پژوهش هاي كاربردي در مهندسي برق
چكيده فارسي :
در اين مقاله مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستور تونلي بدون پيوند InAs/GaAs0.1Sb0.9 با آلايش الكتريكي از نوع n در ابعاد نانو مورد مطالعه و شبيه سازي قرار گرفته است. اثر برخي از پارامترهاي مختلف ساختاري بر مشخصه هاي الكتريكي افزاره به منظور طراحي يك ترانزيستور تونلي بدون پيوند با آلايش الكتريكي با سرعت كليد زني بالا، جريان حالت روشن بالا و سوئينگ زير آستانه كم تبيين شده است. اين افزاره داراي فرآيند ساخت ساده تري نسبت به ترانزيستور هاي تونلي متداول است و آلايش ناحيه سورس نه به صورت فيزيكي و تنها با اعمال ميدان الكتريكي ايجاد ميشود. تابع كار گيت و ولتاژ گيت پلاريته بر روي ناحيه سورس از مهمترين پارامترهاي ساختاري هستند كه لازم است مقدار بهينه اي براي آنها ايجاد شود. مطابق نتايج بدست آمده از شبيه سازي و به ازاي تابع كار مناسب 4.7eV براي هر دو گيت كنترل و پلاريته، به بهترين مشخصه خروجي شامل جريان حالت روشن 4.06x10^-5 ????/????????، جريان حالت خاموش 4.23x10^-11 ????/????????، نسبت جريان حالت روشن به جريان حالت خاموش 9.6x10^+5، ولتاژ آستانه 0.1V و سوئينگ زير آستانه برابر 10mV/dec دست يافتيم.
