تحليل اثر فتورسانندگي مداوم در ساختارهاي دور آلائيده معكوس p-Si/SiGe/Si

report iconخلاصه مقاله: در اين مقاله اثر فتورسانندگي مداوم (ppc) مشاهده شده در ساختارهاي دور آلاييده معكوس p-Si/SiGe/Si مورد تجزيه و تحليل قرار مي گيرد. تجربه نشان ميدهد كه باتابش نور قرمز به اين ساختار در دماي °4/2k ، رسانندگي (σ) گاز حفره اي دو بعدي (2DHG) موجود در چاه كوانتومي (SiGe) افزايش مي يابد. نتايج مويد اين است كه اين افزايش ناشي از جذب نور در لايه پوششي Si و توليد زوج الكترون - حفره و به تبع آن خنثي شدن بارهاي سطحي Si مي باشد. كلمات كليدي: مداوم در