افزايش ولتاژ شكست و كاهش اثر خودگرمايي در افزاره ي SOI-LDMOS

در این مقاله ابتدا به بررسی شبیه سازی عددی افزاره ی SOI-LDMOS می پردازیم. سپس با استفاده از تكنیك اكسید مدفوندوگانه، نشان خواهیم داد كه ولتاژ شكست این افزاره نسبت به افزاره ی مرسومSOI-LDMOSبا اكسید مدفون سرتاسری، حدود 21/64 درصد افزایش می یابد. همچنین با استفاده از این تكنیك، اثر خودگرمایی به میزان 28/36درصد كاهش می یابد. مزیت روش پیشنهادی این است كه جریان نشتی و فركانس قطع افزاره تغییر چندانی نمی یابد