ترانزيستور آي ماس با ساختار نوار پلكاني

برای كاهش احتمال تونل زنی نوار به نوار - 1 ، یك ترانزیستور آی ماس 2 با ساختار نوار 3 پلكانی 4 ناهمگون 5 ارائه شده است. بهره گیری ازمهندسی شكاف انرژی در این ساختار باعث كاهش V 2/2 در ولتاژ شكست ترانزیستور نسبت به آی ماس Si و SiGe شده است. از آن جا كه ماده ی با شكاف انرژی بزرگتر در سمت سورس قرار دارد، جریان خاموش آن ده مرتبه كمتر است