بررسي تغييرات گاف نواري و ساختار الكتروني نانو ورق بورن نيتريد در حضور ناخالصي و نقص

The study of electronic structure and band gap change of nano-sheet of boron nitride in presence of impurities and defects

در این مقاله ما تغییرات گاف نواری و ساختار الكترونی ابر سلول نانو ورق بورن نیترید 48 اتمی، در حضور نقص و ناخالصی مورد بررسی قرار می دهیم. محاسبات با استفاده از نرم افزار شبیه سازی vasp و در چارچوب نظریه تابعی چگالی انجام گرفته است. كه ما از اتم كربن و آلومینیوم (به جای اتم بور) به عنوان ناخالصی و با نقص اتم بور در نانو ورق بورن نیترید استفاده كردیم. كه بیشترین تغییر، كاهش 198 درصدی گاف نواری با حضور اتم كربن به عنوان ناخالصی در نانو ورق بورن نیترید است.

In this article we have investigated electronic structure and band gap change of supercell of nano-sheet of Borne nitride with 48 number of element. In the presence and absence of impurities and defects. It is used the VASP simulation software for calculation in coordinate of density functional theory. We have used Carbon and aluminium as and impurities and Defects in boron atom in nano sheet of boron nitride .The largest change is 19.8 percent decrease in band gap in nano-sheet of boron nitride. in presence of carbon as impurities.