بررسي لايه ZnO:Alj تهيه شده به روش سل - ژل جهت استفاده به عنوان الكترود

Study of ZnO:Al thin film prepared by sol-gel method for application as electrode

دستیابی به لایه نازك شفاف و رسانا كه الزامات زیست محیطی و اقتصادی را برآورده سازد، یكی از نیازهای فناوریهایی نظیر سلول خورشیدی ، نمایشگر تخت رسانا و ... میباشد. به این منظور، لایه نازك ZnO:Al به روش سل - ژل بر روی زیر لایه شیشه ساخته شد. تاثیر عوامل مختلفی نظیر دما و مدت عملیات حرارتی ، محیط باز پخت، درنگ در انجام مرحله بازپخت و تغییر غلظت آلاینده بر شفافیت و مقاومت سطحی لایه نازك مورد بررسی قرار گرفتند. نتایج نشان دادند كه دستیابی به مشخصه ی مقاومت سطحی كم به آسانی مقدور نیست و مقدار آن به شدت به عوامل ذكر شده در بالا وابسته می باشد این بررسی نشان داد كه بازپخت در محیط نیتروژن در مقابل هوای اتاق ، به میزان زیادی باعث كاهش مقاومت سطحی لایه می شود. همچنین نشان داده شد كه دما و زمان بهینه عملیات حرارتی به ترتیب C °400 و 5 دقیقه بوده و درنگ قبل از بازپخت در نهایت تا یك روز می تواند مفید واقع شود.

Achieving transparent and conductive thin film that satisfies environmental and economic requirements is needed for technologies, such as flat conductive screen and solar cell. For this purpose, thin layers of ZnO: Al was prepared by sol-gel method on glass substrate. The influence of factors such as temperature and time ofsintering, the annealing and the concentration of doping on transparency and surface sheet resistance of nanostructure thin films were studied. The results show that achieving low sheet resistance is not easy and itdepends greatly on the above mentioned factors. The study shows that annealing in nitrogen atmosphere insteadof room condition can reduce sheet resistance greatly. It was also shown that the optimum temperature and timeof sintering are 400 °C and 5 minutes respectively, and the best resulting sheet resistance can be obtained afteraging for one day.