بررسي حفره هاي سونش شده در تك بلورهاي KTP رشد يافته به روش هسته سازي خود به خودي در محيط فلاكس

تك بلورهای KTiOPO4 به روش هسته سازی خود به خودی در محیط فلاكس رشد داده شدند. K6P4O13 به عنوان حلال در این روش مورد استفاده قرار گرفت. آزمایش سونش بر روی تك بلورهای رشد یافته صورت گرفت كه در آن37%HCI به عنوان واسطه سونش مورد استفاده واقع شد. بلورها الگوهای نامنظمی از حك شدگی های ناشی از نابجایی را نشان دادند. شكل حفره های سونش شده با توجه به شرایط رشد و مورفولوژی KTP تعیین گردید.

KTP single crystals were grown by spontaneous nucleation in flux. K6P4O13 used as a solvent in this method. Etching experiment was carried out on KTP single crystals. 37% HCl was used as etching medium. The crystals show irregular patterns of etch pits resulting from dislocation. These patterns were determined by growth condition and morphology of KTP