بررسي خواص ساختاري و الكتروني گرافن آلاييده شده با Ti و La براي كاربرد در مدارات مجتمع

Structural and electronic properties of graphene doped with Ti and La for use integrated circuits

امروزه در تكنولوژی ساخت مدارات مجتمع بیشترین تمركز بر روی كوچك سازی و بهبود كارایی ادوات بكار رفته بر روی تراشه می باشد و این كوچك سازی سرانجام با محدودیت های فیزیكی مهمی روبرو است. بنابراین محققان به دنبال یافتن نانو ساختارهای جدیدی برای رفع این محدودیت ها هستند. در این تحقیق با آلایش ناخالصی های Ti و La در یك ابر یاخته گرافنی تك لایه با گاف انرژی تقریبا صفر، اقدام به طراحی یك نیمه هادی با گاف انرژی eV 0/57 و فلزی با رسانندگی بالا كردیم. همه محاسبات ما بر پایه ی نظریه تابعی چگالیDFT و كد محاسباتی Wien2K انجام شد وبرای محاسبه پتانسیل تبادلی- همبستگی در هر دو بلور از تقریب های LDA ، GGA و EV-GGA استفاده كردیم. این پژوهش نوید بخش گذار فاز گرافن از حالت یك نیمه رسانا با گاف صفر به یك نیمه رسانا با گاف غیر صفر و یك فلز می باشد، كه این می تواند برای صنعت ساخت قطعات نانو الكترونیك بسیار مفید باشد.

Today, the technology of integrated circuits focus on miniaturization and improved performance of devices that are used on chip, and the miniaturization finally faced with significant physical limitations. So researchers are looking for new nanostructures to remove these limits. In this study by doping Ti and La, as impurity atoms on graphene monolayer with zero energy gap , with Design a semiconductor with 0.75 eV band gap and high conductivity metal. All our calculations based on density functional theory (DFT) and Wien2K computational code, to calculate the exchange-correlation potential in both crystal, we used LDA, GGA and EV-GGA approximation. . The result seems to be promising for the phase transition of graphene from the zero gap semiconductor to another semiconductor with nonzero band gap and metal which can be useful for nano electronics devices.