بررسي نظري خواص الكتروني بلور Ga(IO3)3

در این مقاله ویژگی های الكترونی تركیب Ga(IO3)3، از قبیل چگالی حالت ها، ساختار نواری، گاف نواری، نوع پیوندهای تركیب، در فاز هگزاگونال بر اساس اصول اولیه محاسبه شده است. محاسبات به روش امواج تخت تقویت شده خطی در چارچوب نظریه تابعی چگالی با تقریب شیب تعمیم یافته انجام شده است. در پژوهش انجام شده، مقدارگاف الكترونی این تركیب 3/5eV محاسبه شده است. الكترون های اربیتال P اتم های تركیب نقش زیادی در چگالی حالت های زیر تراز فرمی و بالای آن دارند كه این می تواند در فعالیت های الكترونی مفید باشد.

In this paper electronic properties of Ga(IO3)3 crystal such as density of state, band structure, band gap, kind of bounds, in the hexagonal phase by initial principle have been computed. The calculations were performed in the frame of density functional theory (DFT), using the full potential linearized augmented plane wave (FP-LAPW) method with the generalized gradient approximation (GGA). In this study, the electronic gap have been calculated 3.5eV for this compound. P orbital electrons of atoms combined large role in the density of state below the Fermi level and are high that it can work electronic useful