بررسي تاثير ميزان آلايش Si بر خواص ترابري الكتريكي نيمرساناي نيتروژندار رقيق InGaNxAs

در این تحقیق با در نظر گرفتن سازوكارهای مختلف پراكندگی به بررسی تاثیر حضور اتمهای ناخالصي Si بر خواص ترابری الكتریكی در لایه InGaN0.01As پرداخته ایم. نتایج بدست آمده بیانگر آنست كه1) با افزایش تراكم Si، تراكم دررفتگیهای باردار در لایه¬هاي با میزان آلایش سبك افزایش می¬یابد و این در حالیست كه در نمونه با آلایش سنگین مقدارآن كاهش می یابد و 2) تراكم ناخالصیهای خنثای موجود در لایه¬ها با افزایش اتمهای ناخالصیSi افزایش یافته است.